半导体行业深度报告(三):新能源打开IGBT天花板,新产能蓄力国产企业新台阶

阅读 144 格式 pdf 大小 3.1 MB 共51页2023-10-18 17:15:46发布于上海市
行业研究[2T0ab2le3_年Re1p0or月tda1te5]日[table_invest][新Tabl能e_N源ewT打itle]开IGBT天花板,新产能蓄力国产企业新台阶行超配业——半导体行业深度报告(三)深度[table_main][证Ta券b分le析_A师uthors]投资要点:方霁S0630523060001电fangji@longone.com.cn➢IGBT是功率器件中的复合型器件,被称为电子电力行业的“CPU”和新能源“芯片”。IGBT是双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)结合组成的,综合BJT高电子[t3a4%ble_stockTrend]流密度和MOS高输入阻抗的特点,具有驱动功率小而饱和压降低的显著性能优势,在电子元器件中发挥电源开关和电能转换两大功能,广泛应用于新能源汽车、工业控制、白26%色家电、新能源发电、轨道交通等领域,其中车规级IGBT的安全稳定性要求高于消费级18%10%2%和工业级...

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